DRAM:现货价回落,Tessera对台湾记忆体厂提告夹击
发布日期:[2007-12-12]    共阅[1629]次
    DRAM族群今日受到DDR2 512Mb ETT创下0.75美元低点,以及美国封装技术专利授权业者Tessera对台湾包括南科 (2408) 、力晶 (5346) 、茂德 (5387) 等记忆体业者提出专利侵权告诉,两项利空夹击,且台股不振,DRAM及模组厂商股价几乎全盘皆墨。

 

上周DRAM现货价格震荡,但走势不同调,DDR2 512Mb ETT上周先盛后衰,全周跌逾2%,DDR2 1Gb ETT全周仍涨逾10%。本周DRAM现货价格全数回落,根据集邦科技最新报价,DDR2 512Mb ETT创下0.75美元低点,跌幅4.07%,DDR2 1Gb ETT报价下滑2.07%,以1.79美元作收。


DRAM股除受现货价探底考验,传出美商Tessera 11日对全球多家电子业者提出闸球阵列封装(BGA)专利侵权告诉,包括威刚 (3260) 、宏碁 (2353) 、南科 (2408) 、力晶 (5346) 、茂德 (5387) 、勤茂等六家台湾业者都被点名,若侵权判决确立,庞大权利金恐侵蚀毛利率数个百分点,在DRAM景气走淡下,对业者营运将更形成压力。

 

台股回档,DRAM厂又受到两大利空冲击,今早股价回档修正。本波DRAM族群由现货价格短线反弹,法人逢低回补造就反弹行情,周二外资已对力晶 (5346) 转为卖超,后续法人操作仍值得追踪。

 
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