侵权挨告、现货价再破底两大利空罩顶 DRAM族群全面倒地
发布日期:[2007-12-12]    共阅[1501]次
    受到美国封装技术专利授权业者Tessera(TSRA-US)侵权官司冲击,加上DRAM现货价格再破底,DDR2 512MbeTT颗粒价格下探至 0.75元;造成DRAM族群今(12)日全面倒地,颗粒厂尤以力晶(5346-TW下单)、茂德(5387-TW)跌幅较大,模块厂则均下跌了4%。

 

美国封装技术专利授权业者Tessera(TSRA-US),针对多家DRAM厂提出诉讼,包括力晶、茂德、南科(2408-TW)和威刚 (3260-TW)均在被告之列,控告其侵犯BGA封装专利;倘若告诉成立,不仅产品将被禁止销售至美国,权利金的缴纳也将进一步侵蚀毛利。


另一方面,在DRAM现货市场部分,DDR2 512Mb eTT颗粒价格再度破底,不仅跌破前低,均价甚至再下探至0.75美元,下文件幅度达到 4.07%;在DDR2 1Gb eTT颗粒跌幅虽较小,不至于跌破前低,但仍维持走跌趋势,来到1.79美元,下滑2.07%。


DRAM价格回暖昙花一现,本周不仅走软,又再破新低;现在又有 Tessera侵权诉讼,雪上加霜。致使DRAM族群早盘全面惨绿,力晶、茂德最低来到13.1元和8.45元,双双拉出半根跌停板,南科、华亚科 (3474-TW)跌幅则相对小,约在2%左右;在下游模块厂部分,跌幅更是全面达到4%之多。


集邦科技表示,DRAM价格要真正落底回升,仅能待国际大厂减产,尤其是全球市占率高达50%以上的Hynix(000660-KR;海力士)和Samsung (005930-KR;三星),若能率先抛砖引玉,作出减产动作,才有助于DRAM价格止跌回稳。

 
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