台湾工研院新研发RRAM将于IEDM上向全球发表
发布日期:[2008-9-23]    共阅[1621]次
     

台湾工研院(ITRI)宣布,所研发的电阻式非挥发性记忆体(Resistive Random Access MemoryRRAM)成果,获选在世界半导体领域顶尖的2008国际电子元件会议(International Electron Devices MeetingIEDM),向全球电机电子研发菁英发表。RRAM具有下世代非挥发性记忆体的潜力而备受业界关注,预计在未来有机会取代快闪记忆体(Flash)DRAM

台湾工研院电光所为协助业界取得竞争优势,自2006年开始进行RRAM研发,此次发表的RRAM研发进展号称具备优异的特性,包括操作功率远低于目前已发表的RRAM,最低可达23奈安培的电流及1.5V的低电压特性;操作时间也极为快速,可达10奈秒以下,媲美DRAM操作速度;具有5个电阻态,可进行多阶操作;读写次数可达106次;以及在200℃的温度下,资料可储存10年以上。

此外,台湾工研院所研发的RRAM可运用与业界高相容性的高介电常数材料(high-K)及金属制程、结构简单,突破现今运用铂等贵金属材料及复杂制程的RRAM,能快速实现RRAM移转业界进行量产之可能性。

IEDM是由国际电机电子工程师学会(Institute of Electrical and Electronics EngineersIEEE)举办,迄今已有54年历史。讨论议题十分广泛,从CMOS、记忆体至显示技术,或半导体化合物至奈米元件等,在半导体界深具影响力外,也是各单位较量技术研发能量活跃程度与实力的最佳场所。世界知名的科技公司IBM IntelSamsungTSMCStanfordBerkeleyMIT…等研究机构,均积极在IEDM上发表半导体与电子元件领域的最新进展,展现其技术实力。IEDM可说是了解未来2~5年内半导体产业最新技术与市场发展的国际研讨会。

 
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