英特尔和美光开始量产34nm工艺的32Gbit闪存
发布日期:[2008-11-28]    共阅[3420]次
    美国英特尔和美光科技(Micron Technology)于当地时间2008年11月24日宣布,基于34nm制造工艺技术的32Gbit MLC(多值单元)型NAND闪存已开始量产。双方以在合资公司IM Flash Technologies(IMFT)开发的制造技术,生产可集成于48引脚TSOP(薄型小尺寸封装)的单片结构闪存芯片。

该芯片采用300mm晶圆生产,芯片尺寸为172mm2。除可用于数码相机和音乐播放器等小型产品,作为低成本高密度的存储装置外,还可用于实现固态硬盘(SSD)的低成本和大容量。

另外,两公司还计划09年上半年开始,使用34nm工艺,供货密度更低的MLC和SLC(2值单元)样品。

IMFT提前实施了NAND型内存制造向34nm工艺过渡的计划。预定08年内将美国犹他(Utah)州利哈伊(Lehigh)工厂50%以上产品的生产改用34nm工艺。

据美国媒体(CNET News.com)报道,美光预定于09年3月开始量产256GB的SSD。而韩国三星电子08年11月20日宣布,已经开始量产256GB的2.5英寸SSD。

 
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